欢迎光临!1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。
当前位置:1kic>MJD112RLG的资料

MJD112RLG详细

TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

MJD112RLG厂商

ON Semiconductor

MJD112RLG参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A,电压 - 集射极击穿(最大值):100V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A,电流 - 集电极截止(最大值):20µA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V,功率 - 最大值:1.75W,频率 - 跃迁:25MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:DPAK-3

MJD112RLG相关型号

Copyright © 2011-2021 运营商-深圳市中天华大科技有限公司 版权所有 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询